Хунуккунандаи микротермоэлектрикӣ (Micro TEC), ки онро модули хунуккунии микротермоэлектрикӣ, модули Micro-peltier, унсури Micro-peltier низ меноманд, бо сабаби хосиятҳои физикии хос ва мутобиқати олии муҳандисӣ дар якчанд бахшҳои баландтехнологӣ ба таври васеъ истифода шудааст. Истифодаи асосии он дар соҳаҳое, ки меъёрҳои қатъии иҷроишро талаб мекунанд, аз ҷумла устувории ҳарорат, вокуниши зуди гармӣ, фишурдагии фазоӣ ва мутобиқати электромагнитӣ, аз ҷумла коммуникатсияи оптикӣ, электроникаи истеъмолӣ, асбобҳои биотиббӣ, электроникаи автомобилӣ, системаҳои аэрокосмикӣ ва мудофиа ва таҷҳизоти дақиқи саноатӣ, мутамарказ шудааст.
I. Алоқаи оптикӣ (Барномаи асосии стратегӣ)
Микро TEC-ҳо, модулҳои термоэлектрикии микро, дастгоҳҳои микропелтье ҳамчун ҷузъҳои муҳими назорати ҳарорат барои лазерҳо дар трансиверҳои оптикии баландсуръат (масалан, модулҳои 10G, 25G, 100G, 400G ва 800G) хизмат мекунанд. Бо нигоҳ доштани ҳарорати пайванди лазерӣ дар ҳудуди ±0.1°C, онҳо ба таври муассир гардиши дарозии мавҷ ва гуфтугӯи байниканалӣ ва бо ин васила якпорчагии сигнал ва эътимоднокии интиқоли додаҳои баландпаҳноро таъмин мекунанд. Афзоиши талабот ба пайвастҳои оптикии камтаъхир ва баландпаҳно, ки аз ҷониби инфрасохтори ҳисоббарории пуршиддати зеҳни сунъӣ дар марказҳои додаҳо ва кластерҳои омӯзишии зеҳни сунъӣ ба вуҷуд оварда шудаанд, рушди бозори Micro TEC (модули микропелтье)-ро ба таври назаррас суръат бахшидааст. Дар ҳоле ки роҳҳои ҳалли баландсифат аз ҷониби пешвоёни ҷаҳонӣ, ба монанди Ferrotec ва KELK, бартарӣ доранд, истеҳсолкунандагони ватанӣ дар пешрафти системаҳои маводи термоэлектрикӣ, технологияҳои бастабандии герметикӣ ва имконоти ҳамгироии сатҳи система пешрафти устувор ба даст меоранд, ки ба маҳаллисозии тадриҷӣ, вале устувори занҷирҳои таъминот мусоидат мекунанд.
II. Электроникаи маишӣ
Микро TEC-ҳо, модулҳои хунуккунии термоэлектрикии микро (модули пелтьеи хурд) дар ҳалли идоракунии гармӣ барои дастгоҳҳои сайёр ва паймон, аз ҷумла фишангҳои ёрирасони хунуккунии смартфонҳо, диспенсерҳои оби термоэлектрикии мизи корӣ (гарм/хунук), асбобҳои PCR-и хурд ва яхдонҳои хурди бо USB коркунанда, бештар истифода мешаванд. Меъмории ҳолати сахти онҳо, ки бо қисмҳои ҳаракаткунандаи сифрӣ, ларзиши ночиз, садои хеле пасти акустикӣ ва омилҳои шакли зермиллиметрӣ тавсиф мешавад, бо талаботи калидии тарроҳӣ дар электроникаи истеъмолӣ мувофиқат мекунад: миниатюризатсия, кори хомӯш ва ҳамгироии бефосила.
III. Асбобҳои биотиббӣ
Ташхиси in vitro (IVD) ва платформаҳои илмҳои ҳаётӣ барои танзими дақиқ ва динамикии ҳарорат ба модулҳои микротермоэлектрикӣ, унсурҳои микропелтье, микро TEC-ҳо, унсурҳои миниатюрии пелтье такя мекунанд:
(1) Дар системаҳои реаксияи занҷирии полимеразии миқдории вақти воқеӣ (qPCR), Micro TECs, модулҳои термоэлектрикии Micro (модулҳои TEC-и Micro) имкон медиҳанд, ки даври гармӣ дар миқёси миллисония (суръати гармкунӣ ≥ 3°C/с; суръати хунуккунӣ ≥ 2°C/с) ба амал ояд ва хосияти тақвият ва такроршавандагии таҳлилро таъмин намояд;
(2) Контейнерҳои сайёри интиқоли занҷири хунук барои доруворӣ ва ваксинаҳо диапазони кори устувори 2-8°C-ро нигоҳ медоранд, ки ба талаботи пешакии тахассуси ТУТ барои логистикаи таҳти назорати ҳарорат ҷавобгӯ мебошанд;
(3) Дар таҳлилгарони гематология ва химияи клиникӣ, хунуккунии маҳаллии сенсорҳои тасвири CCD/CMOS (диапазони корӣ: −10°C то +5°C) садои ҷараёни торикро ба таври назаррас коҳиш медиҳад ва таносуби сигнал ба садоро беҳтар мекунад;
(4) Дар дастгоҳҳои тиббии эстетикӣ — аз ҷумла системаҳои тозакунии мӯйҳои лазерӣ дар асоси нимноқилҳо ва платформаҳои рӯшноии импулсии шадид (IPL) — хунуккунакҳои Micro Peltier, Micro TECs, модулҳои хунуккунии микротермоэлектрикӣ, хунуккунии эпидермалиро барои беҳтар кардани бехатарии табобат, самаранокӣ ва роҳатии бемор таъмин мекунанд.
IV. Электроникаи автомобилӣ
Бо афзоиши мошинҳои интеллектуалии пайвастшуда ва системаҳои пешрафтаи кӯмаки ронанда (ADAS), модулҳои Micro TEC, Micro TEC, модулҳои термоэлектрикии миниатюрӣ барои ҷуброни гармӣ дар воҳидҳои интиқолдиҳанда/қабулкунандаи LiDAR истифода мешаванд, ки кори оптикии доимиро дар шароити шадиди муҳити зист (−40°C то +85°C) таъмин мекунанд. Онҳо инчунин ба зерсистемаҳои назорати иқлими кабина, ба монанди яхдонҳои интеллектуалии насбшуда дар мошин, муттаҳид карда шудаанд. Бо вуруди 12 V DC, истеъмоли ками энергия (<5 Вт маъмулӣ), устувории баланди механикӣ (тобовар ба ларзиш ва зарба) ва масоҳати ултра-паймон (<10 мм²), модулҳои термоэлектрикии Micro, модулҳои Micro Peltier, модулҳои хунуккунии термоэлектрикии Micro (модулҳои термоэлектрикии микро) ба эътимоднокии қатъии сатҳи автомобил ва талаботи тарроҳии маҳдуди фазо ҷавобгӯ мебошанд.
V. Аэрокосмос ва мудофиа
Дастгоҳҳои Micro TEC ва Micro Peltier функсияҳои муваффақонаи дохили мадорро дар системаҳои идоракунии гармидиҳии моҳвораӣ нишон доданд. Масалан, дастгоҳҳои дар дохили кишвар таҳияшуда дар киштии партоби "Lianjian-1" санҷида шуданд, ки имкон медиҳад танзими фаъоли гармидиҳии электроникаи муҳими миссия - аз ҷумла модулҳои алоқаи оптикии дар киштӣ ва массивҳои сатҳи фокусии инфрасурхи ҳассосияти баланд - дар муҳити сахти кайҳонӣ имконпазир гардад. Илова бар ин, онҳо детекторҳои инфрасурхи ҳавоӣ ва системаҳои тасвирии CCD-и ҳавоии дараҷаи илмӣ-ро дастгирӣ мекунанд, ки дар онҳо устувории гармии истисноӣ барои сенсории дурдасти баландсифат ва муайян кардани дақиқи ҳадаф муҳим аст.
VI. Асбобҳои дақиқи саноатӣ
Барномаҳои асосӣ инҳоянд:
(1) Муътадилсозии ҳарорати манбаъҳои насоси лазерии нахӣ ва ултратез (устуворӣ ≤ ±0.05°C), таъмини устувории қувваи баромад ва эътимоднокии сифати шуоъ;
(2) Хунуккунии амиқи детекторҳои инфрасурхи теллуриди кадмий симоб (MCT) ё HgCdTe дар тасвиргирандагони гармӣ ва анализаторҳои спектроскопӣ (то −40°C), ки ба таври назаррас саркӯб кардани садои гармӣ ва беҳтар кардани ҳассосияти ошкоркунӣ;
(3) Кори криогении камераҳои илмии CMOS, ки дар мушоҳидаҳои астрономӣ ва санҷиши нуқсонҳои васлкунаки нимноқил истифода мешаванд, ки дар он ҷо кам шудани ҷараёни торик имкон медиҳад, ки вақти экспозиция дарозтар ва дақиқии тасвир баландтар шавад;
(4) Модулҳои пешгирии конденсатсия барои шкафҳои идоракунии барқӣ дар муҳитҳои намӣ баланд, ки аз хунуккунии маҳаллӣ барои танзими фаъоли нуқтаи шабнам ва таъмини эътимоднокии дарозмуддати корӣ истифода мебаранд.
Беназирии техникӣ ва ивазнашавандагии модули микротермоэлектрикии Micro TEC аз таъсири ҳолати сахти Пелтье бармеояд, ки маҷмӯи бартариҳои синергетикиро таъмин мекунад:
• Идоракунии гармии динамикии дақиқи баланд: вақти вокуниши гармӣ дар миқёси миллисония; дақиқии танзими ҳарорати устувор аз ±0.1°C беҳтар аст;
• Кори бесадо ва бе ларзиш: набудани унсурҳои механикии чархзананда ё мутақобил — барои барномаҳои ҳассос ба танзими оптикӣ, ҳассос ва тасвирӣ беҳтарин аст;
• Миниатюризатсияи шадид ва ҷойгиркунӣ: бо бастабандии чип-дар-борт (COB) ва ҳамгироии герметикӣ дар дохили корпусҳои дастгоҳ мувофиқ аст, ки имкон медиҳад назорати маҳаллии гармӣ дар зеримиллиметр имконпазир гардад;
• Устувории экологӣ: фаъолияти бе моеъи хунуккунанда; партовҳои сифрии моддаҳои вайронкунандаи қабати озон ё газҳои гулхонаӣ; мутобиқати пурра ба стандартҳои танзимкунандаи RoHS ва REACH.
Мушаххасоти TES2-2402T200
Ҳарорати гармии ҳаво 27 дараҷа аст,
Имакс: 1.4A
Умакс: 1.98В
Qmax：> 0.7 Вт
ACR: 1.35 ±0.1 Ω
Делта Т ҳадди аксар: 99 C
Андоза: Андозаи асосӣ: 6.6×6.6 мм, андозаи болоӣ 4X4 мм,
Баландӣ: 4.9±0.1мм.
Сим: 28 сими металлии AWG дарозӣ: 45.7 мм
Вақти нашр: 28 сентябри соли 2026
